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產(chǎn)品介紹
Powerex 碳化硅 MOSFET 模塊設(shè)計(jì)用于高頻應(yīng)用。每個(gè)模塊由六個(gè) MOSFET 碳化硅晶體管組成。所有組件和互連都與散熱基板隔離，提供簡化的系統(tǒng)組裝和熱管理。
性能特點(diǎn)
- 接點(diǎn)溫度：175°C
- 良好的Rds(on)
- 高速開關(guān)
- 低開關(guān)損耗
- 低電容
- 低驅(qū)動(dòng)要求
- 高功率密度
- 隔離底板
- 氮化鋁隔離
- Wolfspeed 第三代芯片
大帶隙能量和高場擊穿是碳化硅 (SiC) 的兩個(gè)主要特性，碳化硅 (SiC) 已被用于創(chuàng)建具有零反向恢復(fù)電荷、降低開關(guān)損耗和更高溫度工作機(jī)會(huì)的新一代功率半導(dǎo)體。
Powerex 將供應(yīng)商的 SiC MOSFET 和肖特基勢壘二極管封裝到高性能全 SiC 模塊中，或與高頻硅 IGBT 封裝到混合 Si/SiC 模塊中。新的薄型分離式雙封裝具有低電感和適用于高熱循環(huán)應(yīng)用的銅或 AlSiC 基板。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品應(yīng)用
節(jié)能電力系統(tǒng)
高頻型電力系統(tǒng)
高溫電力系統(tǒng)
滬公網(wǎng)安備31011302006898號(hào)
